倾佳电子代理的基本半导体驱动IC及电源IC产品力深度解析报告 I. 报告执行摘要：基本半导体产品力总览 1.1 核心价值定位：SiC驱动生态系统建设 基本半导体（BASiC）的产品组合，特别是其隔离型栅极驱动器（BTD系列）和配套的电源管理芯片（BTP系列），明确围绕第三代半导体——碳化硅（SiC）MOSFET驱动的高频、高压、高可靠性核心需求进行构建 。这些产品在设计上高度契合SiC器件的低阈值电压、极高开关速度和高 dV/dt等特性带来的挑战。 该公司的策略在于提供从核心器件到辅助电路的完整生态系统。它不仅提供隔离驱动IC（BTD系列）和高频低边驱动IC（BTL系列

世界半导体贸易统计协会（WSTS）公布了对全球半导体市场的最新预测，强调了2024年和2025年的强劲增长预期。 2024年：强劲反弹之年 在最新的秋季预测中，WSTS上调了对2024年的预测，预计半导体市场将同比增长19%。2024年的全球市场价值预计将达到6270亿美元，这反映了2024年第二季度和第三季度的业绩改善，尤其是在计算领域。 2024年的增长将主要由两个集成电路部分推动：内存，预计增长81%；逻辑，预计增长16.9%。与此同时，其他类别如分立、光电、传感器和模拟半导体预计将出现下降。 从地区来看，美洲和亚太地区将引领复苏，预计增长率分别为38.9%和17

远山半导体 远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。 本次测试采用远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品,其可以轻松应对1000V输入电压下的开关测试需求，在静态测试条件下，1700V时测得反偏漏电流Idss = 4.48uA（Vgs = -8V）。

作者: Martin Schulz, Littelfuse全球首席应用工程师 针对应用于2兆瓦范围的电力电子系统，当下关注的焦点是采用何种技术以及具有多久的生命周期。 常见的功率半导体模块有两种，一种是传统的焊接键合型功率半导体模块，另一种是具有相同额定功率的压接型功率半导体模块，如图1、图2所示。 预期使用寿命主要由功率循环（PC）进行验证。半导体中的电流变化会导致组装和连接产生温度偏差，上电最初几秒内的热波动使得键合线由于热膨胀而产生微小移动。长远来看，这些移动会导致诸如键合线脱落或在键合点断裂的缺陷。 如果脉冲持续时间延长，结构中各个部件会发热，由于每一层的热膨胀