氮化硅陶瓷气压烧结后需要热等静压(HIP)处理吗?
氮化硅陶瓷气压烧结后需要热等静压(HIP)处理吗?——对结构件不同疲劳要求的成本效益分析
L₁₀寿命大幅提升的背后
某型号混合陶瓷轴承的台架试验数据值得注意:气压烧结态氮化硅球的滚动接触疲劳L₁₀寿命约为3×10⁷次应力循环,经HIP后处理后提升至8×10⁷次,增幅超过150%。然而,同一批次中用于非承载隔离垫的陶瓷件,经HIP处理后装机表现与烧结态并无统计差异。这个反差引出一个工艺决策问题:氮化硅陶瓷在气压烧结之后,是否必须追加HIP处理?回答这个问题,需要回到烧结后期的致密化机制上。
烧结进入末期时,晶粒间的开口气孔网络已被切断,残余气孔以孤立闭孔形式封闭在晶界交汇处。气压烧