极紫外光刻（EUVL）技术作为实现先进工艺制程的关键路径，在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前，LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采用的主流光源，其工作原理是利用波长为 10.6um 的红外激光（IR）轰击 Sn 等离子体，从而释放出 EUV 辐射，随后通过收集镜将 EUV 辐射会聚到中间焦点（IF）处。 然而，在这一过程中，冗余的红外辐射若进入曝光光学系统，将会产生热负载，对光刻系统的稳定性以及曝光图样质量造成不良影响。因此，深入研究红外辐射抑制技术，对于保障光刻机的高性能运行具有至关重要的意义。 ​ 在此背景下，中国科学院微电子研究所齐月静研究员团队取得了