基本半导体BASIC Semiconductor的B2M600170R(TO-263B-7封装)和B2M600170H(TO-247-3封装)两款1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎的原因，需结合其技术特性和应用场景需求： 核心优势解析 高压兼容性(1700V耐压) 应用匹配：光伏逆变器母线电压普遍达1000–1500V，传统硅器件需更高电压裕量(如2000V)。1700V SiC MOSFET提供充足余量，降低系统过压风险。 降本增效：替代多级串联硅器件，简化拓扑(如PFC、