Part 01 前言 TVS二极管是一种用于保护电路免受瞬态电压，比如浪涌电压和静电放电损害的器件。我们一般在电源线路、控制线路、通信线路等易受电压尖峰影响的地方放置一个TVS二极管。当外界有浪涌电压（如雷击、感性负载开关引起的电压尖峰）时，TVS二极管能迅速导通，将瞬态过电压引导至地，从而保护电路中的敏感器件。 我们在进行TVS二极管选型时会关注一个重要参数：脉冲峰值功率Ppk，脉冲峰值功率是指在规定的脉冲条件下，TVS瞬间能承受的最大功率值，反映了TVS浪涌抑制能力。有些产品需要做的浪涌测试波形功率会比较大，这时候可能就需要用一个超大功率的TVS二极管，甚至可能需要压敏

AMAZINGIC晶焱科技如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应 现今先进制程的进步对于晶片中高速介面的影响与日俱增，由于制程微缩使得晶片对于ESD/EOS的耐受力下降以致于更容易受到外在突波损伤，研发足以面对这种威胁的保护元件益发成为IC设计工程师的挑战。 当我们使用具有SCR (Silicon Controller Rectifier) 结构的ESD保护元件时，其 I-V 曲线具有snap-back的特性 (如图一)。本文将会说明SCR架构之ESD保护元件特殊的I-V特性与闩锁(Latch-up) 效应的关系，以避免为了更低的钳位电压而选错TVS，阐述发生闩锁效应的条件以及如