AMAZINGIC晶焱科技如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应 现今先进制程的进步对于晶片中高速介面的影响与日俱增，由于制程微缩使得晶片对于ESD/EOS的耐受力下降以致于更容易受到外在突波损伤，研发足以面对这种威胁的保护元件益发成为IC设计工程师的挑战。 当我们使用具有SCR (Silicon Controller Rectifier) 结构的ESD保护元件时，其 I-V 曲线具有snap-back的特性 (如图一)。本文将会说明SCR架构之ESD保护元件特殊的I-V特性与闩锁(Latch-up) 效应的关系，以避免为了更低的钳位电压而选错TVS，阐述发生闩锁效应的条件以及如