文章来源：晶格半导体 原文作者：晶格半导体 本文主要介绍晶圆的划片工艺流程 在半导体制造的复杂流程中，晶圆历经前道工序完成芯片制备后，划片工艺成为将芯片从晶圆上分离的关键环节，为后续封装奠定基础。由于不同厚度的晶圆具有各异的物理特性，因此需匹配不同的切割工艺，以确保切割效果与芯片质量。 一、基于晶圆厚度的切割工艺选择 1、厚度 100um 以上的晶圆 - 刀片切割 对于厚度超过 100um 的晶圆，刀片切割(Blade dicing or blade sawing)是常用的方法。这种方法在长期的实践中展现出高效切割大量晶圆的能力，能够满足大规模生产的需求。在刀片切割过

在半导体晶片生产工厂中，每天都会有大量的芯片在生产、传输，通过RFID技术，可以对晶圆盒进行识别、智能管理，确定晶片在生产过程中的工艺流程、生产进度等，实时跟踪与优化生产过程中的每一步，确保晶片在生产过程中保持优秀的品质。 在晶片的制造过程中，硅晶片会放在FOUP晶圆盒中，每个晶圆盒都会承载着相应数量的硅晶片。而TI标签（即RFID标签）则嵌入到晶圆盒中，记录着硅晶片的尺寸、数量等重要信息。TI标签拥有着全球唯一不可被修改、复制的ID码，且可以对TI标签进行锁死，一旦锁死，TI标签只能读取而不能修改，保证了数据的安全与准确性。在整个制造过程中，晶片通常被固定在FOUP晶圆盒中一个月

来源：半导体行业观察 ，作者杜芹DQ 随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术来推动性能的飞跃。在封装技术由平面走向更高维度的2.5D和3D时，互联技术成为关键中的关键。面对3D封装日益增长的复杂性和性能要求，传统互联技术如引线键合、倒装芯片键合和硅通孔（TSV）键合等，正逐步显露其局限。在这种背景下，混合键合技术以其革命性的互联潜力，正成为行业的新宠。 四大主要的互联技术 （图源：SK海力士） 混合键合，或称为Hybrid Bonding，主要有两种使用方式。第一种是晶圆到晶圆，用于CIS 和NAND，在这些领域，混合键合已经证明了其效

来源：江阴发布 近日，江阴举行长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目通线仪式。无锡市委常委、江阴市委书记许峰，市领导顾文瑜、陈涵杰，长电科技董事、首席执行长郑力参加活动。 许峰代表江阴市委市政府向项目的顺利通线表示祝贺。他说，近年来，江阴始终坚持“项目为王”，持续掀起“大抓项目、抓大项目”的强劲攻势，近三年全市开工和落地项目数量、质量均创历史最好水平。这其中，作为江阴集成电路产业领军企业的长电科技发挥了不可或缺的重要作用。此次项目投产是江阴持续建设高水平项目、大力发展新质生产力的又一重要成果，必将为长电科技巩固提升全球第三、大陆第一的封测龙头地位提供更强支撑；也必将为江阴从“芯