没有任何杂质原子和结构缺陷的半导体称为本征半导体，在这种完美的半导体中，电子要么存在于导带中,要么存在于价带中，不可能存在于导带底和价带顶之间,因为那是禁带。但当半导体中存在杂质原子或结构缺陷时，晶格势场的严格周期性被打破,因此,禁带中间有可能形成一些能级。这种杂质或缺陷可能是半导体制造工艺中无意引人的，也可能是为制造器件而有意引人的,特别是杂质。本节将讨论半导体工业中大量使用的杂质的物理性质,尤其是对半导体能带和电学性质的影响，介绍半导体中各种维度缺陷的产生及其影响。 2.4.1 杂质类型 根据杂质在半导体晶格中占据的位置,可将杂质分为替位杂质和间隙杂质。当杂质原子取代半导体原有晶

当前行业普遍以AI为核心引擎，追求“大尺度、高效率”的泛化应用。鸿之微科技始终锚定物理第一性原理，以底层理论为根基，打造自主可控的高性能材料研发平台。作为材料基因工程与Physics AI材料智能研发体系的核心底座，国产自主可控的高性能材料研发平台已成为支撑新能源、半导体、航空航天等关键领域创新的重要基础设施。 依托国家高性能材料计算专项支持，由国内顶尖高校、科研院所与企业联合研发的MATS（Machine learning Accelerate Toolkit for material Simulation）材料计算软件正式面向行业推出。鸿之微科技作为联合研发单位，深度参与技术研发、工

碳化硅晶体的生长原理 在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工业、医疗、半导体及众多科研领域也发挥着重要的作用。 不同晶体材料之间的结构、性能以及制备方法不尽相同，但其共通特点是晶体中的原子排列规则有序，在三维空间中通过周期性堆垛，组成特定结构的晶格，因此晶体材料的外观通常会呈现出整齐规则的几何形状。 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种