CoolSiC™ MOSFET G2导通特性深度解析:高效选型指南
在功率器件领域,英飞凌的CoolSiC MOSFET G2以其卓越性能备受关注。然而,面对复杂的应用场景,如何正确选型成为工程师们的关键问题。今天,我们将从G2的导通特性入手,深入解析其设计背后的技术逻辑与应用价值。
在MOSFET设计选型过程中,工程师往往会以MOSFET常温下漏源极导通电阻RDS(on)作为第一评价要素。RDS(on)往往会体现在产品型号中,比如IMZA120R040M1H中的040,代表的就是结温25℃条件下,Vgs在18V时器件的RDS(on)约为40mΩ。
从上面的参数表也可以看出,RDS(on)是一个正温度系数的参数,对于IMZA120R040M1H来说,Tv