东芝亮相2025上海国际电力元件和可再生能源管理展览会

2025年9月24日 — 9月26日，作为电力电子和能源转换领域的国际盛会，2025 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）于9月24日至26日在上海新国际博览中心盛大举办。这场展会汇聚了全球电力能源领域的众多优质企业，集中展示前沿技术成果，成为行业交流与创新成果展示的重要平台。

东芝凭借在半导体等领域的深厚技术积累，持续为电力能源行业提供高效可靠的解决方案。与以往不同的是，在此次展会上，东芝与基本半导体通过联合展台，共同展示了双方在碳化硅领域深度合作的最新产品与解决方案，为行业注入多项创新成果与崭新思路。接下来，让我们一同走进东芝展区，近距离了解一下本届展会的亮点产品吧！

聚焦车载核心产品

打造智慧出行“芯”生态

东芝展示了一系列专为车载应用开发的高性能功率器件及模块，助力汽车电子创新发展。

东芝展示的内置碳化硅芯片的HPD模块采用六并联设计，具备1200V/650A高性能规格，不仅导通电阻低、散热性能优异，还有助于客户快速评估芯片性能，大幅缩短开发周期。东芝碳化硅芯片SSC塑封模块内置4并联东芝碳化硅芯片的半桥模块，单模块尺寸为69mm×49.2mm×22mm，有助于实现逆变器系统的小型化。

东芝为车载应用提供广泛的低压MOSFET，可用于12V至48V电池系统。未来，东芝还计划将产品扩展至96V高压系统，以满足下一代汽车电子对更高电压平台的需求。而东芝的车载光耦产品线包含多达18款不同输出类型的产品，均符合AEC-Q101和IATF 16949认证标准。

东芝RC-IGBT采用内置FRD（快恢复二极管）结构，实现正、反向双向导通能力，大幅提升了功率密度，有助于推动逆变器系统的小型化设计。同时，东芝碳化硅芯片集成嵌入式SBD（肖特基势垒二极管），使反向电流流经内部SBD通道而非本体二极管，有效规避了因碳化硅叠层缺陷带来的可靠性问题，显著稳定了MOSFET的导通电阻，进一步确保了器件的高可靠性和长期运行稳定性。

xEV电动汽车主驱变流器芯片

此外，东芝还展示了包括150mm碳化硅晶圆、功率器件及驱动芯片等系列展品，为车载应用提供全面的解决方案。

创新工业解决方案

驱动产业智能化“芯”变革

东芝此次展出的300mm晶圆，其面积达到8英寸（200mm）晶圆的2.25倍，可大幅提升硅功率半导体产能，进一步增强生产规模与效益。随着东芝第二条基于12英寸（300mm）晶圆的产线正式投入运营，公司整体产能预计将提升至原来的3.5倍，为工业智能化发展提供更强大的半导体支持与保障。

东芝采用DSC封装技术的MOSFET产品，可大幅提升功率密度，有效优化系统空间布局与能效表现。DSC封装产品内置1200V RC-IGBT，凭借高度集成的结构设计，不仅提升了系统可靠性，还有助于降低整体集成复杂度与成本，为高效紧凑的功率系统设计提供有力支持。

东芝碳化硅MOSFET产品采用创新设计，在同一芯片上集成SBD以替代传统体二极管，显著降低二极管导通压降，提升系统整体可靠性。产品涵盖1200V与750V电压等级，提供多样封装形式和导通电阻选项，可灵活适配不同应用场景。

此外，东芝还展出了工业级碳化硅MOSFET模块，具备低杂感损耗特性，满足工业设备对高电压、大电流的严苛需求。为完善系统支持，东芝还提供了配套的功率器件驱动解决方案，助力客户实现更高效率与更优成本控制的功率系统设计。

凭借东芝先进的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模块设计和封测技术，基本半导体与其联合开发了Pcore2 E2B、Pcore2 L3工业级全碳化硅功率模块及Pcore6 E3B混碳功率模块等产品。该系列产品采用了双方的SiC MOSFET和东芝的RC-IGBT芯片技术，而模块封装方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit压接工艺，铜底板散热结构等技术，在导通电阻、开关损耗、杂散电感、可靠性等方面表现出色，可应用于APF、PCS、DC/DC变换器、大功率充电桩、固态断路器、矩阵变换器和电池功化成等领域应用。

携手东芝明星产品

释放展会亮点“芯”活力

在独立展区，东芝展示了一系列先进的产品和解决方案。

东芝的碳化硅MOSFET单管和碳化硅MOSFET模块已经广泛应用于工业、光伏以及可再生能源领域，为系统实现高效能源转换、稳定运行和低能耗提供了坚实可靠的技术支持。

东芝压接式IEGT作为变流器核心器件，能够完美匹配市场对大功率，高性能的电力传输需求。东芝与第三方合作共同开发的压接组件方案，基于半桥拓扑的子单元，并采用两颗ST2000GXH32（4.5kV／2KA／内置二极管的压接式封装）IEGT，能够帮助新客户进行双脉冲测试，使其快速掌握东芝器件特性，有效缩短开发周期。

东芝提供了用于驱动工业电机驱动器等功率转换设备中使用的SiC MOSFET模块的栅极驱动电路。它可以通过使用外部缓冲MOSFET，以大电流驱动SiC MOSFET模块。

东芝展示的SCiB电池是负极使用钛酸锂（LTO）的锂离子动力电池。它实现了高安全、长寿命、耐低温、大倍率、高功率等性能，显著降低了电池更换频率与整体维护成本，适用于对使用寿命与运行功率有严苛要求的应用场景。

此外，东芝的VPP虚拟电厂，利用AI技术准确预测可再生能源发电量与电力市场价格，通过精准控制，达到可再生能源与电网系统的和谐共生。同时，实现用户利益最大化。

东芝以丰富的展品和前沿的技术，充分展现了在电力能源领域的硬实力与创新力。这场展会不仅是东芝展示自身的舞台，更是与行业伙伴共话发展、碰撞思想的契机。相信通过此次展会，东芝能与更多伙伴携手，在电力能源的广阔天地中，继续开拓创新，为行业进步贡献更多力量。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。